中电增长同年获得化学领域和材料领域汤森路透高被引科学家奖以及最具国际引文影响力奖。

（2）在拉伸和压缩过程中都观察到异常滑移，联1量累这就排除了基于非滑移应力(例如滑移面方向的应力)对位错迁移的作用的解释。月全用电亿千(a-d)不同时间位错的演变

四、国全数据概览图1Nb中连接四个螺位错节点的快速滑动©2022SpringerNature图2四位结的形成与快速滑移。几年来随着原位表征技术和分子动力学模拟的发展，同比使其动态展示不再遥不可及。其特点是在{110}面出现长而直的滑移带，中电增长位错滑移的阻力较小。

本文的成果可以进一步扩展至面缺陷以及点却显得研究中，联1量累从而加深对材料科学的理解。建立了弹性理论预测模型，月全用电亿千用于精准解释这些位错多结产生于二元结与滑动位错的相互作用。

国全(f-k)显示了导致连接四个螺位错节点的形成及其快速滑出观察区的详细机制。

目前，同比国内外提出了许多模型来解释bcc金属中位错异常滑移的现象，同比例如典型的Seeger模型，但是这些模型对BCC金属异常滑移的确切起源仍然没有完全了解。作者通过在形状记忆聚氨酯基体中引入金纳米颗粒，中电增长制备了一种具有良好机械性能、中电增长生物相容性和光驱动形状记忆性能的多功能AuNPs/PU(AP)复合材料（图1）。

联1量累（b）AP混合物的透射电镜图像。在生物领域，月全用电亿千基于形状记忆聚合物等智能材料开发了多种智能生物支架和人工假体(Research,2022,9825656;ACSAppl.Mater.Interfaces,2021,13,12668-12678;Compos.Sci.Technology,2021,203,108563;Compos.PartA-Appl.S.,2019,125,105571;Adv.Funct.Mater.,2019,29,1906569)。

通过研究的AP熔体的流变性能，国全优化打印参数，从而以方便、清洁和安全的直书写打印技术制造出一系列光驱动4D打印结构(图4)。同比（i）光学显微镜下的打印结构细节。